Отделение теоретической физики им.И.Е.Тамма Об Отделении
сотрудники
научные отчеты структура
исследования
семинары, события

отчет о научной деятельности в 2001 г.
Сектор теории твердого тела (заведующий - Б.А.Волков)

В секторе работают 5 сотрудников, среди них 2 доктора физ.-мат. наук и 3 кандидата физ.-мат. наук, один сотрудник является членом ООФА РАН - академик Л.В.Келдыш.
Также в секторе проходили обучение 2 аспиранта.
Опубликовано или направлено в печать 4 научных работы,
сотрудники приняли участие в 1 международной конференции.

 

Тематика исследований в 2001 г.:
  • влияние электрического и магнитного полей, взаимного расположения энергетических зон и геометрии узкощелевых полупроводниковых гетероструктур на их электронные, оптические и транспортные свойства;
  • многочастичные явления в системах с сильным взаимодействием, в том числе, возникновение макроскопических когерентных состояний, как в равновесном состоянии, так и в состояниях, далеких от термодинамического равновесия;
  • кинетика в неоднородных сверхпроводниках и сверхпроводящих туннельных структурах

Основные научные результаты, полученные в 2001 г.:
  1. Развита микроскопическая теория, рассматривающая процессы туннелирования в микроконтактах и наноструктурах, учитывающая эффекты, связанные с особенностями электронного спектра, электронной плотности и конечными временами релаксации в области контакта.
    Развит самосогласованный теоретический метод расчета туннелирования в микроконтактах и наноструктурах в присутствии двух взаимодействующих Андерсоновских примесей на поверхности полупроводника. Неравновесные числа заполнения на примесях с учетом среднеполевого кулоновского взаимодействия электронов расчитаны решением системы кинетических уравнений в рамках диаграммной техники для неравновесных процессов.
    Расчитаны вольт-амперные характеристики SIS-контактов в многозонной модели с анизотропным эффективным параметра порядка. Объяснены экспериментально наблюдаемые особенности вольт-амперных характеристик SIN и SIS контактов сверхпроводников типа BSCCO. (П.И.Арсеев)

  2. Продолжено развитие модели "DX - подобных" примесных центров в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца, объясняющей эффекты долговременной релаксации в полупроводниках A4-B6, допированных элементами III группы. Долговременная релаксация объяснена возникновением эффективного барьера, связанного с переменной валентности примесей. Разработанная модель применима к описанию DX центров в классических полупроводниках типа A3-B5. (Б.А.Волков)

  3. Для описания спинового расщепления асимметричных узкощелевых полупроводниковых гетероструктур в перпендикулярном магнитном поле получены уравнения, определяющие энергетический спектр носителей тока. Показано, что основное состояние системы не обязательно соответствует нулевому уровню Ландау. Энергетические уровни в общем случае не вырождены, но основное состояние может быть вырожденным в зависимости от величины магнитного поля. (А.П.Силин)

  4. В рамках многозонной модели с анизотропным эффективным параметра порядка ВТСП расчитаны вольт-амперные характеристики SIS-контактов. Результаты вычислений показывают, что вид ВАХ и плотности электронных состояний сильно меняется в зависимости от параметров задачи. Предложено теоретическое объяснение экспериментально наблюдаемого s-подобного поведения ВАХ SIN и SIS контактов высокотемпературных сверхпроводников типа BSCCO. Исследована зависимость асимметрии сверхпроводящих пиков от взаимного расположения зон. (Н.К.Федоров)

Проекты, выполнявшиеся в 2001 году:
1. РФФИ №99-02-17360
"Кинетика в неоднородных сверхпроводниках и сверхпроводящих туннельных структурах". Руководитель: П.И.Арсеев;

2. РФФИ №99-02-16449
"Теория слабой локализации возбуждений в системе квантовых точек в условиях термодинамического равновесия и в сильно неравновесном случае". Руководитель: Б.А.Волков;

3. РФФИ №00-02-17529
"Влияние электрического и магнитного полей, взаимного расположения энергетических зон и геометрии узкощелевых полупроводниковых гетероструктур на их электронные, оптические и транспортные свойства". Руководитель: А.П.Силин;

4. РФФИ №00-15-96558 Руководитель: Л.В.Келдыш
(проект поддержки научных школ)

5. Миннауки РФ №96-081
"Электромагнитные свойства полупроводниковых гетероструктур как элементов электронных и оптоэлектронных устройств". (Б.А.Волков)

6. Миннауки РФ №96-1105
 

Преподавание:

А.П.Силин - "Теория твердого тела" - курс лекций студентам МФТИ,
П.И.Арсеев - "Макроскопические квантовые явления" - курс лекций студентам МГУ

 

Список литературы, опубликованной и принятой в печать в иностранных журналах в 2001 году:
  1. Vereshchagin S.A., Silin A.P.
    "Unusual magnetic ground state in asymmetric narrow-gap semiconductor heterostructures with spin splitting of energy spectrum", Phys.Low-Dim.Struct. (в печати);

Список литературы, опубликованной и принятой в печать в российских журналах в 2001 году:
  1. С.О.Лойко, Н.К.Федоров, П.И.Арсеев
    "Влияние симметрии электронных состояний ВТСП на вольт-амперные характеристики SIS контактов", ЖЭТФ (в печати);
  2. Б.А.Волков, Л.И.Рябова, Д.Р.Хохлов
    "Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца", УФН (в печати);
  3. P.I.Arseyev, N.S.Maslova, V.I.Panov, S.V.Savinov.
    "Non-equlibrium tunneling effects of interacting Hubbard-Anderson impurities", ЖЭТФ, т.121, 225, 2002


 

главная страница научные отчеты как нас найти полезные ссылки карта сайта/поиск top
© 2001, Отделение теоретической физики им.И.Е.Тамма