краткая информация история Отдела годовые отчеты 1945 1953 1954 1955 1956 1957 1958 1959 1960 1961 1962 1963 1964 1965 1966 1967 1968 1969 1970 1971 1972 1973 1974 1975   1979 1980       1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 персоналии

Отчеты Отделения за 2003 г.   отчет Отделения теоретической физики им.И.Е.Тамма   - ms word file (281КБ)   - pdf file (583КБ)   отчет об исследованиях по тематике, относящейся к компетенции Отделения ядерной физики РАН отчет сектора взаимодействия радиоволн с плазмой отчет сектора теории сверхпроводимости отчет сектора теории твердого тела отчет сектора теоретической биофизики отчет сектора квантовой теории поля и квантовой статистики отчет сектора теории элементарных частиц отчет сектора физики высоких энергий отчет группы советника РАН В.Гинзбурга Отчет сектора теории твердого тела Заведующий сектором - Б.А.Волков. В секторе работают 5 сотрудников, среди них 2 доктора физ.-мат. наук и 3 кандидата физ.-мат. наук, один сотрудник является членом ООФА РАН - академик Л.В.Келдыш. Опубликовано или направлено в печать 3 научных работы, сотрудники приняли участие в международной конференции и сделали 1 доклад. Основные научные результаты, полученные в 2003 г.: Было теоретически показано, что учет взаимного влияния неравновесных зарядовых эффектов, меняющих начальное распределение плотности электронного заряда, и многочастичных взаимодействий, приводящих к кулоновским сингулярностям, приводит к новым необычным свойствам туннельных характеристик. Совместно с группой В.И.Панова из МГУ с помощью низкотемпературного сканирующего туннельного микроскопа (STM) и сканирующей туннельной спектроскопии (STS) было изучено туннелирование с d-орбитали примеси Mn на поверхности InAs(110) и подтвержден теоретический вывод о специфических искажениях вольтамперных характеристик из-за кулоновских корреляционных эффектов. Предложено развитие модели, описывающей примеси с переменной валентностью в полупроводниках А4В6. Сильное кулоновское взаимодействие учитывается только для электронов на примеси, а зонные электроны рассматриваются в одноэлектронном приближении. В рамках этой модели, оперирующей с существенно многочастичными волновыми функциями электронов на примеси, можно объяснить наблюдаемое экспериментально изменение валентности примесей III группы в зависимости от степени легирования полупроводника и появление долговременной релаксации возбуждений. На основе микроскопической теории в рамках диаграммной техники для неравновесных процессов получено выражение для проводимости сверхпроводника на произвольной частоте внешнего электромагнитного поля. В расчетах учитывался многозонный характер электронного спектра ВТСП, связанный с наличием в элементарной ячейке орбиталей различной симметрии. Показано, что наличие характерных для ВТСП особенностей электронного спектра приводит к заметной зависимости оптической проводимости от легирования. Полученные выражения содержат вклад от коллективных возбуждений, полученный с учетом требования калибровочной инвариантности отклика сверхпроводника на внешнее поле.